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Arid

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Development of InGaN/GaN nanostructures 学位论文
出版年: 2017
作者:  Oppo;Carla Ivana
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/29
530  Physik (PPN621336750)  Molecular beam epitaxy  InGaN/GaN  Nanocolumns  Selective area growth  Polarity  Semipolar  X-ray fluorescence  X-ray diffraction  Cathodoluminescence  
Position-controlled selective area growth of Ga-polar GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy A versatile approach towards semipolar GaN and the characterization of single nanocolumns 学位论文
出版年: 2013
作者:  Urban;Arne
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/29
530  Physik (PPN621336750)  Molecular beam epitaxy  Gallium nitride  Nanocolumns  Selective area growth  Polarity  Transmission electron microscopy  Extended defects  Threading dislocations  Cathodoluminescence  Semipolar  
InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE 会议论文
会议名称: 10th China/Korea Workshop on Advanced Materials. 会议地点: Huangshan, PEOPLES R CHINA. 会议日期: AUG 21-24, 2006
作者:  Ai Likun;  Xu Anhuai;  Sun Hao;  Zhu Fuying;  Qi Ming
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/07
double heterojunction bipolar transistor (DHBT)  gas source molecular beam epitaxy (GSMBE)  gallium arsenic (GaAs)  indium gallium arsenic (InGaAs)  
InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE 期刊论文
发表期刊: RARE METALS. 出版年: 2006, 卷号: 25, 页码: 20-23
作者:  Ai Likun;  Xu Anhuai;  Sun Hao;  Zhu Fuying;  Qi Ming
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/28
double heterojunction bipolar transistor (DHBT)  gas source molecular beam epitaxy (GSMBE)  gallium arsenic (GaAs)  indium gallium arsenic (InGaAs)