Arid
半干旱区马铃薯立式深旋耕作栽培方法
申请日2018-05-03
申请号CN201810416442.2
申请公布日2018-10-12
授权公告日2020-10-02
授权公告号CN108633662B
专利类型授权发明
授权国家中国
摘要本发明公开了半干旱区马铃薯立式深旋耕作栽培方法,包括步骤:1)选地及预处理;2)施基肥:随立式深旋深施有机肥和化肥;3)立式深旋及起垄:立式深旋35‑40cm,作大垄,垄间留大沟,再在大垄面正中开小沟;4)覆辅料与覆膜:在垄面及沟面上用玉米芯粉与麦壳覆盖后用黑膜全地面覆盖,向垄上膜面覆细土;5)选种及种子处理;6)播种;7)田间管理;8)病虫害防治;9)适时收获;10)清除废膜。本发明方法可提高马铃薯的品质和产量,提高生产效率,提高经济效益,适合大规模栽培移植。试验表明,采用本发明种植的马铃薯产量同比提高12.7%,尤其是商品率提高至75.3%。
张绪成; 马一凡; 侯慧芝; 于显枫; 方彦杰; 王红丽
专利权人甘肃省农业科学院旱地农业研究所
IPC 分类号A01G22/25 ; A01B79/02 ; C05G1/00
国民经济行业分类A0123
专利有效性有效
资源类型专利
条目标识符http://119.78.100.177/qdio/handle/2XILL650/383425
推荐引用方式
GB/T 7714
张绪成,马一凡,侯慧芝,等. 半干旱区马铃薯立式深旋耕作栽培方法[P]. 2020-10-02.
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