Arid
新型植被种植结构
申请日2018-02-27
申请号CN201820274793.X
授权公告日2019-08-16
授权公告号CN209251166U
专利类型实用新型
授权国家中国
摘要本实用新型公开一种新型植被种植结构。包括种植坑,所述种植坑内的侧壁上设置有防渗层,所述种植坑的底部铺设有污染物吸附层,所述污染物吸附层的上方铺设有污泥造粒层,所述污泥造粒层上种植有植物。本实用新型利用污泥中保水成分和营养成分,发挥收集和保存水分,为植物提高营养成分的作用;另一方面通过周围防渗和底部污染物吸附,防止污泥对周围环境的污染,大大提高了干旱地区植被种植的成活率和生长量,而且施工工艺简单,无需大型设备和大量材料,适合规模化应用。
高卫民; 程寒飞; 王浩; 项萌; 李明; 朱巧红; 冉景; 夏溢; 焦朋朋; 刘金光
专利权人中冶华天工程技术有限公司 ; 中冶华天南京工程技术有限公司 ; 中冶华天(安徽)节能环保研究院有限公司
IPC 分类号A01G9/02
国民经济行业分类C3572
专利有效性有效
代理机构北京中伟智信专利商标代理事务所
资源类型专利
条目标识符http://119.78.100.177/qdio/handle/2XILL650/382822
推荐引用方式
GB/T 7714
高卫民,程寒飞,王浩,等. 新型植被种植结构[P]. 2019-08-16.
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