干旱区生态环境知识资源中心(Arid): 夹心并联式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法

Arid

	夹心并联式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法
申请日	2014-06-29
申请号	CN201410299858.2
申请公布日	2014-09-17
授权公告日	2017-02-15
授权公告号	CN104051041B
专利类型	授权发明
授权国家	中国
摘要	本发明公开了一种夹心并联式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上下两个PIN结和α放射源层；下PIN结自上而下依次为，P型欧姆接触电极、P型高掺杂GaN外延层、N型高掺杂4H‑SiC衬底、N型低掺杂SiC外延层和N型欧姆接触电极，上PIN结自下而上的结构分布与下PIN结自上而下的结构分布相同；α放射源层夹在上下两个PIN结的P型欧姆接触电极之间，以实现对高能β粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠等场合供电。
	郭辉; 赵亚秋; 宋庆文; 张艺蒙; 张玉明
专利权人	西安电子科技大学
IPC 分类号	G21H1/06
国民经济行业分类	C3849 ; C4120
专利有效性	有效
代理机构	陕西电子工业专利中心
资源类型	专利
条目标识符	http://119.78.100.177/qdio/handle/2XILL650/381849
推荐引用方式 GB/T 7714	郭辉,赵亚秋,宋庆文,等. 夹心并联式外延GaN的PIN型α辐照电池及制备方法[P]. 2017-02-15.