Arid
并联式PIN型β辐照电池及其制备方法
申请日2014-06-29
申请号CN201410299924.6
申请公布日2014-09-17
授权公告日2016-10-12
授权公告号CN104051042B
专利类型授权发明
授权国家中国
摘要本发明公开了一种并联式PIN型β辐照电池及其制备方法,主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括:并联的上、下两个PIN结和β放射源;下PIN结自下而上依次为,N型欧姆接触电极、N型高掺杂4H‑SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型欧姆接触电极,上PIN结自上而下的结构分布与下PIN结自下而上的结构分布相同;每个PIN结中有多个沟槽,每个沟槽内均放置有α放射源;两个PIN结通过P型欧姆接触电极相接触,上下沟槽镜面对称且相互贯通。本发明具有放射源与半导体接触面积大,核原料利用率及能量收集率高,电池输出电压大的优点,可为微小电路持久供电,或为极地、沙漠等场合供电。
郭辉; 顾磊; 王悦湖; 张艺蒙; 张玉明
专利权人西安电子科技大学
IPC 分类号G21H1/06
国民经济行业分类C3849 ; C4120
专利有效性有效
代理机构陕西电子工业专利中心
资源类型专利
条目标识符http://119.78.100.177/qdio/handle/2XILL650/381752
推荐引用方式
GB/T 7714
郭辉,顾磊,王悦湖,等. 并联式PIN型β辐照电池及其制备方法[P]. 2016-10-12.
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