Arid
一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法
申请日2014-10-20
申请号CN201410558557.7
申请公布日2015-03-25
授权公告日2016-09-28
授权公告号CN104429451B
专利类型授权发明
授权国家中国
摘要本发明涉及一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法,该方法结合了蓖麻生物学特性,采取“一膜两带三行”的膜下滴灌种植模式,通过高矮品种搭配,并辅助以整枝、化控措施,构造蓖麻高生长期高矮行交错的层式结构排列,改善授粉环境,提高群体叶面积指数和光合生产力。本发明所述方法克服了蓖麻生长期授粉不良对产量的影响,也提高了蓖麻群体光合能力,对干旱区蓖麻高产栽培有很好的指导价值。
赵振勇; 卞卫国; 田长彦; 孙立军; 张科
专利权人中国科学院新疆生态与地理研究所
IPC 分类号A01G1/00
国民经济行业分类A0141 ; A0163 ; A0164 ; A0131 ; C3572 ; A0162 ; A0181 ; A0171 ; A0190 ; A0149 ; A0169 ; A0159 ; A0134 ; A0112 ; A0123 ; A0113 ; A0179 ; A0143 ; A0132 ; A0121 ; A0122 ; A0133 ; A0119
专利有效性有效
代理机构乌鲁木齐中科新兴专利事务所
资源类型专利
条目标识符http://119.78.100.177/qdio/handle/2XILL650/381746
推荐引用方式
GB/T 7714
赵振勇,卞卫国,田长彦,等. 一种干旱区层式结构的蓖麻高产种植方法[P]. 2016-09-28.
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