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| Transient Avalanche Oscillation of IGBTs Under High Current Transient Avalanche Oszillationen von IGBTs unter hohem Strom | |
| Hong;Tao | |
| 出版年 | 2015 |
| 学位授予单位 | Universitätsbibliothek Chemnitz |
| 英文摘要 | Radio frequency oscillations up to several hundreds of MHz were observed during turn-off the high-current conducting IGBTs. They are described in this work as Transient Avalanche oscillations. Other than PETT oscillations that happen in the tail current phase, this oscillation appears during the rise of collector-emitter voltage VCE and during the fall of the collectoremitter current ICE. The turn-off process of IGBTs are investigated with the help of measurements, the circuit- and device-simulations to reveal the working mechanisms of transient high-frequency oscillations. For the first time the Transient Avalanche Oscillation is successfully reproduced with computer simulation, which allows the further investigation on the influences of individual parameters. The participation of IMPATT mechanism in Transient Avalanche oscillation is demonstrated. The interaction between IMPATT mechanism und PETT mechanism during the setting up of depletion region in IGBTs was investigated. Measures to suppress such oscillation are discussed on the levels of chip design, module design and the driver concept. Supplying electron current during critical phase is found to be an effctive method to avoid the dynamic avalanche and the TA-oscillation. Radio Frequenz Oszillationen bis zu mehreren hundert MHz wurden während des Abschaltens von Hochstrom leitenden IGBTs beobachtet. Sie werden in dieser Arbeit als Transient Avalanche Oscillationen beschrieben. Anders als PETT Oszillationen, die in der Tail-Strom Phase vorkommen, erscheint diese Oszillation während des Anstiegs der Kollektor-Emitter-Spannung VCE und des Fallens des Kollektor-Emitter Stroms ICE. In dieser Arbeit werden die Abschaltvorgänge von IGBTs mit Hilfe von Messungen, Schaltungs- bzw. Device-Simulationen untersucht, um die Wirkungsmechanismen der transient erscheinenden hochfrequenten Oszillationen zu erklären. Es ist erstmals gelungen solche Transient Avalanche Oszillationen mit der Simulation zu reproduzieren und anschließend die Einflüsse einzelner Parameter zu untersuchen. Die Beteiligung des IMPATT Mechanismus an der Transient Avalanche Oszillation wurde nachgewiesen. Die Interaktion von IMPATT und PETT während Aufbau der Raumladungszone im IGBT wurde untersucht. Maßnahmen zur Unterdrückung der Oszillation werden auf den Ebenen von Chip-Design, Modulauslegung und der Treiberschaltung diskutiert. Das Zuführen des Elektrostromes während der kritischen Phase wird als ein effective Methode zur Vermeidung der TA-Oscillation nachgewiesen. |
| 英文关键词 | Abschalten Oszillation Transient Avalanche IMPATT PETT TA-Oszillation Turn-off Oscillation Transient Avalanche Resonance Space charge Depletion region IMPATT PETT TA-oscillation Ddc:500 Ddc:530 Ddc:537 Ddc:600 Ddc:620 Ddc:621 IGBT Abschaltung Schwingung Resonanz Raumladung |
| 语种 | 英语 |
| URL | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-164238 |
| 来源机构 | Universitätsbibliothek Chemnitz |
| 资源类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://119.78.100.177/qdio/handle/2XILL650/249134 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hong;Tao. Transient Avalanche Oscillation of IGBTs Under High Current Transient Avalanche Oszillationen von IGBTs unter hohem Strom[D]. Universitätsbibliothek Chemnitz,2015. |
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