干旱区生态环境知识资源中心(Arid): LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究

Arid

	LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究
其他题名	Investigation of Organic Doped Electroluminescent Devices with LiF/DLC
	张剑华 1; 王俊西 2; 李雪勇 2; 李宏建 2
ISSN	1001-5868
出版年	2007
卷号	28 期号:3 页码:321-323
中文摘要	选用8-羟基喹啉铝(Alq_3)作基材,用具有强红光发射的四(4-羟基-3苯偶氮基)苯基卟啉(TPP)对Alq_3进行掺杂,制备结构为ITO/PVK/Alq_3:TPP/Al红光器件,并与在此结构中带有LiF、类金刚石碳(DLC)薄层的四种器件的电致发光光谱、电流-电压和亮度-电压特性进行了比较.结果表明:将LiF、DLC薄层分别用在Alq_3/Al界面之间,可降低界面的注入势垒,增强器件的电子注入;在ITO/PVK之间使用LiF薄层可起到限制空穴注入,达到载流子平衡注入的目的.由此认为电子和空穴的平衡注入与合适的栽流子复合区域是器件获得高亮度与高效率的根本原因.
英文摘要	By using TPP doped 8-hydroxyquinoline, a red device with structure of ITO/ PVK/Alq_3 : TPP/A1 is fabricated and its electroluminescent spectra is measured. In the device, the electron injection is enhanced by inserted LiF and DCL thin film between Alq_3 : TPP and Al, . and the hole injection is limited by inserting LiF thin films between ITO and PVK. The influence :of LiF arid DCL thin film on current-voltage and brightness-voltage characteristics is studied. It is found that high brightness and efficiency of the devices are largely ascribed to the balance of electron and hole injection and that of suitable electron and hole recombination zone.
中文关键词	红色器件 ; 电致发光 ; 电流-电压特性 ; 亮度-电压特性
英文关键词	red device electroluminescence current-voltage characteristic brightness-vbltage characteristic
语种	中文
国家	中国
收录类别	CSCD
WOS类目	ENGINEERING ELECTRICAL ELECTRONIC
WOS研究方向	Engineering
CSCD记录号	CSCD:2837266
资源类型	期刊论文
条目标识符	http://119.78.100.177/qdio/handle/2XILL650/220655
作者单位	1.湘南学院,物理系, 郴州, 湖南 423000, 中国; 2.中南大学,物理科学与技术学院, 长沙, 湖南 410083, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	张剑华,王俊西,李雪勇,等. LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究[J],2007,28(3):321-323.
APA	张剑华,王俊西,李雪勇,&李宏建.(2007).LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究.,28(3),321-323.
MLA	张剑华,et al."LiF/DLC修饰电极的掺杂有机电致发光器件的研究".28.3(2007):321-323.