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Arid

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Reliability assessment of GaN HEMTs on Si substrate with ultra-short gate dedicated to power applications at frequency above 40 GHz Evaluation de la fiabilité des HEMTs GaN sur substrat silicium à grille ultra-courte dédiés aux applications de puissance à f > 40 GHz 学位论文
出版年: 2017
作者:  Lakhdhar;Hadhemi
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/29
HEMT AlGaN/GaN  Fiabilité  Vieillissement accéléré DC  Aire de sécurité de fonction  Grille ultra-courte  AlGaN/GaN HEMT  Reliability  DC step stress  Safe Operating Area  Ultra-short gate