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Arid

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Croissance de GaN semipolaire par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur substrats de Si structurés Metal organic vapor phase epitaxy of semipolar GaN on patterned silicon substrates 学位论文
出版年: 2016
作者:  El Khoury Maroun;Michel
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/29
GaN  Silicium  Semipolaire  Croissance sélective  GaN  Silicon  Semipolar  Selective area growth