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InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE 期刊论文
发表期刊: RARE METALS. 出版年: 2006, 卷号: 25, 页码: 20-23
作者:  Ai Likun;  Xu Anhuai;  Sun Hao;  Zhu Fuying;  Qi Ming
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/28
double heterojunction bipolar transistor (DHBT)  gas source molecular beam epitaxy (GSMBE)  gallium arsenic (GaAs)  indium gallium arsenic (InGaAs)